一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置,方法包括以下步骤:1)采用理片机将硅片理好,切口垂直向下;2)将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;3)开启电机,由丝杠带动升降槽由HF酸酸槽中向上升起;4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时,HF酸与氧化膜开始发生反应;5)开启电机,带动升降槽降至HF酸酸槽;6)打开氮气保护罩,取出硅片进行检验。方法是利用锥形腐蚀块与8英寸切口的接触,达到去除切口氧化膜的目的。本发明的优点是:装置结构简单,操作方便,工艺成本低。
1.一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:它包括以下的步骤:1)采用理片机将硅片理好,切口垂直向下;2)将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;3)开启电机,由丝杠带动底部开孔的升降槽由HF酸液槽中向上升起,该升降槽内置锥形腐蚀块,该腐蚀块材料为四氟,且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布;4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时,HF酸与氧化膜开始发生反应;5)开启电机,带动升降槽降至HF酸液槽;6)打开氮气保护罩,取出硅片进行检验。
2.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:所述HF酸与H₂O的比例为1∶5-10。
3.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:所述电机带动升降槽升降速率为1-10mm/s。
4.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:所述HF酸与氧化膜发生反应时间为10-30s。
5.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:所述氮气保护罩的氮气压力为10-25psi。
6.一种用于权利要求1所述方法的装置,其特征在于:它包括一个氮气保护罩,一个底部开孔的升降槽,升降槽内置锥形腐蚀块,一个HF酸液槽,一个作用于升降槽的电机丝杠组合,一个带有排风孔的外壳箱体;所述腐蚀块材料为四氟,且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:所述升降槽底部开圆孔结构,圆孔直径10-25mm。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:所述腐蚀块锥形尖曲率半径r为0.8-1.0mm,锥形面长度a为0.5-2cm,两锥形面夹角90°,腐蚀块高度b为5-15cm。
9.根据权利要求6或8所述的装置,其特征在于:所述腐蚀块材料为四氟,且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于:锥形尖位置粘贴的布,厚度
0.1-0.3mm。技术领域
本发明涉及一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置
背景技术
随着国内集成电路产业的迅速发展,硅衬底材料的需求量也越来越大,质量要求越来越严格,为了防止重掺杂硅片在外延生产过程中引起杂质的外扩散和自掺杂,通常需要对重掺杂硅片进行背封处理,即在衬底片的背面生长一层SiO₂薄膜,由于杂质在SiO₂中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此可以对衬底片中的杂质进行有效封堵。随之而来的问题是:硅片背面生长SiO₂薄膜的同时,硅片边缘也同样生长了SiO₂薄膜,而边缘的这一层SiO₂薄膜,对硅片正面的外延层质量会产生较大的影响,因此必须去除边缘氧化膜。目前国内采取的去边方式主要有贴膜去边和滚轮去边两种,贴膜去边采取硅片背面贴PTFE蓝膜的方式,对背面氧化膜进行保护,将边缘以及切口氧化膜去除,该工艺采用的设备和原材料成本较高,且生产工艺复杂,操作困难。滚轮去边针对6英寸以下的背封片,去边技术已经比较完善,但是硅片尺寸上升到8英寸以后,采用切口代替了参考面,原有的滚轮去边技术遇到了难以解决的问题,就是无法将切口氧化膜去除,因此有必要提供一种新型的装置,用于去除切口氧化膜。
发明内容
本发明的目的是提供一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置,该方法、装置简单,操作方便,工作效率高,工艺成本较低,与贴膜去边相比,工艺成本仅仅为其万分之几。为实现上述目的,本发明采取以下设计方案:这种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法包括以下几个步骤:将理片机理好的8英寸硅片放置于花篮卡槽上,此时切口垂直向下,盖好氮气保护罩,开动电机,带动升降槽匀速上升,直至锥形腐蚀块与硅片切口接触后停止上升,携带的HF酸与切口氧化膜发生反应,完成氧化膜去除后,电机带动升降槽降至HF酸液槽内。其中所述HF酸与H₂O的比例为1∶5-10。所述电机带动升降槽升降速率为4-10mm/s。所述HF酸与氧化膜发生反应时间为10-30s。所述氮气保护罩的氮气压力为10-25psi。这种8英寸晶圆切口氧化膜去除装置,它包括一个氮气保护罩,一个底部开孔的可升降槽,内置锥形腐蚀块,一个HF酸液槽,一个作用于升降槽的电机丝杠组合,根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:其中所述升降槽底部为开圆孔结构,圆孔直径10-25mm。腐蚀块锥形尖曲率半径r为0.8-1.0mm,锥形面长度a为0.5-2cm,两锥形面夹角90°,腐蚀块高度b为5-15cm。所述腐蚀块材料为四氟,且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布。其中锥形尖位置粘贴的布,厚度0.1-0.3mm。
附图说明
图1:去除切口氧化膜的工艺流程图图2:本发明装置的主视图图3:图2的左视图图4:图2的俯视图图5:装置核心示意图图6:锥形腐蚀块示意图图中,1为外壳箱体,2为氮气保护罩,3为内置腐蚀块的升降槽,4为HF酸液槽,5为电极丝杠组合。
具体实施方式
实施例1参阅图1-图6所示,本发明的去除8英寸晶圆切口氧化膜的方法包括如下步骤:首先开启装置排风;采用理片机将硅片理好,硅片切口垂直向下;将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;开启电机,带动升降槽由HF酸酸槽以速率4-6mm/s向上运动;直至腐蚀块与切口紧密接触后停止运动,反应时间10-15s;启动电机,带动升降槽以速率4-6mm/s返回至HF酸槽;打开氮气保护罩,取出片盒,检查切口氧化膜去除情况。共加工100片,检查切口状况,去除约0.6mm,且均匀一致,能够满足加工要求。实施例2参阅图1-图6所示,本发明的去除8英寸晶圆切口氧化膜的方法包括如下步骤:首先开启装置排风;采用理片机将硅片理好,硅片切口垂直向下;将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;开启电机,带动升降槽由HF酸酸槽以速率6-10mm/s向上运动;直至腐蚀块与切口紧密接触后停止运动,反应时间15-30s;启动电机,带动升降槽以速率6-10mm/s返回至HF酸槽;打开氮气保护罩,取出片盒,后再配合边缘氧化膜去除装置,去除边缘,共加工200片,检查切口和边缘配合情况,边缘去除宽度与切口完全一致,均匀,完全满足IC加工要求。